高纯三氯化硼主要用于IC制造工艺中技术要求很高、对电路成品率影响很大的化学气相淀积(CVD)成膜过程以及等离子干法刻蚀过程,会对IC产品的品质带来很关键的作用,且不可以其他电子气体代替。它的杂质含量和纯度直接影响IC、电子元器件的质量、性能、技术指标和成品率。为保证军用IC产品的质量和可靠性,对工艺配套原料气提出很高的要求,要求三氯化硼纯度必须在99.999%(5N)以上。5N以上的高纯三氯化硼国内尚不能生产,该级别产品完全依靠从美国、英国、日本等国外几家大公司进口。本文主要采用粗制三氯化硼为原料,经过高压常温吸收和低温冷却抽空相联合的方式,深层次的除掉三氯化硼中的所有杂质,生产出纯度为99.999%的三氯化硼产品。创建一套多单元联合的深层次提纯工艺系统,展开高纯度三氯化硼有害杂质气体剖析测试方式探究,而探究改性吸附剂对该种物质吸附特性的作用,得到了下面这些结果:1、选择多单元联合式深层次提纯以及低温冷凝抽空相联合的方式,用自制的KY-05分子筛,深度脱除三氯化硼中的很多有害的杂质,提纯之后的三氯化硼中所有有害物质符合对应的要求,纯度高达99.999%。2、按照5N三氯化硼中一些杂质的检验要求,构建了一套三氯化硼所有杂质的剖析检测方式。3、在超临界气化除去三氯化硼中O22、N杂质的试验中,结果显示冷凝抽空次数对氧、氮杂质的除去的作用比较显著,获得纯度高的三氯化硼最佳冷凝抽空次数为4次。4、探讨了气体流速对吸附性能的作用,结果显示,在三氯化硼流速小于3L/min时,吸附剂对三氯化硼CO、CO2、THC等杂质能够起到很好的除去作用,杂质浓度符合99.999%高纯三氯化硼相应的要求。不过气体流速不高,会对该产品的产能带来影响,所以纯度高的三氯化硼最好的生产气体流速是3L/min。5、探讨了分子筛常温吸附时压力对BCl3气体中杂质脱除带来的作用,显示因为体系压力的提升,BCl3中对应杂质浓度下降很显著。6、三氯化硼产品做了稳定性考察,并对吸附系统再生置换气做了对比筛选。