通过控制微波功率场效应管的漏极电流可以实现脉冲调制，具有通断比高、脉冲上升/下降沿陡峭的特点，能够有效地提高功率放大器的效率并降低对散热的要求，因而被广泛应用于脉冲雷达和半双工通信系统中。 论文首先对微波 HEMT 功率放大器的特性，尤其是直流特性进行了详细分析，从而得出HEMT器件漏极电流脉冲调制性能优于栅极电压脉冲调制的结论。在此基础上，设计了基于P-channel MOSFET 的漏极电流脉冲调制器，利用MOSFET的SPICE模型对调制器电路进行了时域仿真分析，在此基础上优化电路设计。结合漏极电流脉冲调制器，分析了HEMT 微波功率放大器偏置电路中的滤波电容和寄生电感等因素对脉冲调制波形的影响，从而为这些参数的权衡选择提供参考。最后给出了调制器的测试方案。