【摘 要】
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以316L不锈钢为基底,SiC晶体为靶材,Ar为源气体,采用磁控溅射法在不同温度下制备出系列SiC过渡层。然后以高纯石墨作靶,Ar和CHF3为源气体在相同工艺条件下再续镀一层F-DLC薄
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以316L不锈钢为基底,SiC晶体为靶材,Ar为源气体,采用磁控溅射法在不同温度下制备出系列SiC过渡层。然后以高纯石墨作靶,Ar和CHF3为源气体在相同工艺条件下再续镀一层F-DLC薄膜,形成SiC/F-DLC复合薄膜。 研究表明,相比于F-DLC薄膜,复合薄膜的附着力显著增加,血液相容性明显改善。通过样品的拉曼和红外光谱分析了不同温度下制备的SiC过渡层以及复合薄膜结构的演变。结果表明,控制SiC过渡层制备温度可以有效调制过渡层中C=C键的比例以及-C-C-不饱和键的密度,复合薄膜中保留较高比例的芳香环式结构以及合适的F/C比是薄膜的血液相容性得以进一步改善的原因,SiC过渡层制备温度控制在500℃左右效果尤为明显。SiC薄膜和F-DLC两种薄膜的界面处形成一定比例的Si-C键和C=C键是导致复合薄膜附着力显著上升的直接原因。适当条件下在316L不锈钢和F-DLC薄膜之间增加SiC过渡层对于增强薄膜的附着力、改善其血液相容性是可行、有效的。
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