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BST薄膜具有高介电系数、低漏电流密度、居里温度可调以及优异的热释电性能等优点,可被广泛应用于非制冷红外探测器、动态随机存储器、高介电常数电容器、介质移相器等电子信息领域。在应用中,BST薄膜的漏电流是要重点考虑的电性能参数之一,因此对BST薄膜漏电特性的研究尤为重要。本论文采用射频溅射制备BST薄膜,系统研究了BST薄膜的漏电流特性、软击穿过程,揭示了限流机制和软击穿机理。首先,研究在正反偏压下BST薄膜漏电流的J—V和J—T特性。反偏压时,上电极Pt和BST薄膜形成肖特基接触,漏电流遵