单芯片智能功率模块是将各种高、低压电路,例如逻辑控制电路、芯片保护电路、输出电路以及高压横向绝缘栅双极型晶体管等集成在同一块芯片上,这样可以使整个系统具有更高集成度、更低功耗、更强抗干扰能力及更低成本等优点,它已成为工业电机、空调及冰箱等中小型功率驱动系统的核心元件。本文设计了一种可应用于单芯片集成的IPM芯片的厚膜SOI-LIGBT,论文首先介绍了SOI-LIGBT的工作原理及厚膜SOI-LIGBT的特点,然后提出了厚膜SOI-LIGBT的基本架构。在此基础上,首先对器件基本的二维结构进行仿真设计,对其击穿电压、阈值电压、开态电流密度之间的关系进行了折衷设计,并选择了合适的结构与工艺参数。接着通过在漂移区上添加特殊场板结构来屏蔽高压互联对器件特性的影响。同时,为优化器件闩锁能力,将发射区接触结构改为P+/N+间隔型结构,并通过提出“蛇形电流沟道”以提高器件的开态电流密度,最后利用三维器件仿真软件验证其耐压特性、阈值特性、电流特性、以及抗闩锁特性,并与传统结构进行对比分析,基于上述的优化设计,最终得到了一组S OI-LIGBT的最佳结构参数。最后简要设计了器件的制备工艺,绘制了器件版图,并进行了流片测试。流片测试结果表明SOI-LIGBT的击穿电压为550V,阈值电压为2.45V,开态线性电流密度为231 A/cm2,开态饱和电流密度为731 A/cm2, I门锁电压为615V,测试结果均达已达到预定指标要求。