【摘 要】
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本学位论文是关于SrTiO电容—压敏复合功能陶瓷介电特性的研究.首先,采用逐层研磨和电学测量的方法,分析得到SrTiO环形电容—压敏复合功能陶瓷元件的宏观电导模型和典型的表
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本学位论文是关于SrTiO<,3>电容—压敏复合功能陶瓷介电特性的研究.首先,采用逐层研磨和电学测量的方法,分析得到SrTiO<,3>环形电容—压敏复合功能陶瓷元件的宏观电导模型和典型的表面型结构特征.发现随着热处理温度的升高,表面氧化层的深度是逐渐增大的.其次,对元件表面氧化层内不同层面的介电性质的测试发现,元件表面层内各个不同层面的介电性质存在很大差别.通过复阻抗图的分析认为,元件介电性能不佳的主要原因是热处理温度过高,晶粒电阻率增大.最后,对材料的损耗峰的形成机理进行了分析.确定SrTiO<,3>压敏陶瓷的损耗峰是由弱束缚离子的弛豫极化造成.并提出改善材料损耗—频率特性的一个方法:适当增大施主掺杂的浓度
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