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半导体光催化技术处理难降解的有机污染物是目前工业废水治理的热点之一,其中高活性光催化剂的研发是影响其实用化的关键。针对典型氧化物半导体光催化剂(ZnO、TiO2)存在的太阳能利用率低以及光生电子-空穴复合率高的缺点,本论文主要通过离子掺杂制备了几种高催化活性的半导体低维纳米材料,从而有效抑制了光生电子-空穴的复合,并拓展了其可见光响应范围。主要内容包括：(1)采用沉淀法制备了Mn2+、Co2+单独掺杂的ZnO光催化材料。随着Mn2+,Co2+摩尔掺杂量的增加,ZnO的光吸收边向可见光方向