高PF值LED驱动控制芯片设计

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随着社会经济的发展,人们对生活品质的要求不断提高,照明作为提高人们生活品质的基本保障,照明用电占总发电量的比例不断升高。进入21世纪以来,能源紧缺一直是全球关注的焦点,世界各国都在着力发展绿色节能照明。LED照明以其节能、高效、寿命长、安全等优势在近几年获得飞速发展。由于LED灯珠中电流对电压和温度的高度敏感性,需要设计专门的驱动管理芯片来控制流过LED灯珠的电流。功率因数校正技术能够有效抑制输入电流波形发生畸变,降低谐波分量,满足电网对谐波含量与功率因数日益严格的要求。因此高PF值LED驱动芯片设计已成为照明领域的研究热点之一。本论文设计了一款用于反激拓扑结构,采用原边反馈控制的高PF值的LED驱动控制芯片。由于采用原边反馈控制,不需要光耦与TL431,减少了外围元件,降低了系统成本。工作于临界导通模式下的控制芯片使得开关管在储能元件中的能量释放完全时再次导通,有效降低了开关损耗,不仅提高系统效率还可降低芯片温度。基于平均电流控制模式的功率因数校正技术,通过内部跨导放大器调节开关管导通时间,使得输入电流波形跟随输入电压波形变化,获得高的功率因数。芯片还具有多种保护功能,包括欠压保护、过压保护、CS脚开路保护、过温保护、输出开/短路保护等,能有效保证LED驱动电源以及灯珠安全性。论文所设计芯片采用Episil 0.5um 5V/40V BiCMOS工艺流片验证,通过测试得到:启动电流为35uA,工作电流为1.3mA。在12W应用中,Vac=130V时,PF值为0.982,效率为88.82%;Vac=220V时,PF值为0.933,效率为88.76%。测试数据表明本论文所设计的高PF值LED驱动芯片能够满足设计要求。
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