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准一维纳米半导体材料具有优异的电学和光学性质，引起了人们广泛的研究兴趣。在宽禁带半导体材料中，II-VI族的硒化锌（ZnSe）尤为引人注目。1991年世界上第一支蓝绿激光二极管即以ZnSe为基础材料制备而成，比GaN激光二极管早了5年。ZnSe为直接带隙半导体，室温禁带宽度为2.7eV（对应激发波长在460nm左右），在发光、光伏以及光电探测器件等光电子器件中应用前景广泛。因此准一维ZnSe纳米材料及其纳米光电子器件具有重要的研究意义。但本征准一维ZnSe纳米材料电阻率高，近乎绝缘难以应用。对准一维