在氧化钒系列中,二氧化钒（VO₂）由于其优异的相变性能,而且可以掺杂适当的离子来改变VO₂相变温度,通过制备薄膜和纳米结构形式的VO₂并在这些材料中掺杂离子,可以在不同温度下诱导各种光学和电学转换。而研究如何将离子掺入VO₂材料中,并对其相变温度起到调控作用,是具有重要意义的。本论文根据VO₂薄膜研究发展方向和应用方面的需求,以MoO₃和V₂O₅粉末为反应源,通过掺杂Mo离子来调控VO₂的相变温度,并详细的研究了掺杂离子对VO₂形貌、结构、相变性能的影响,以及在光电响应性能上的研究。本文创新地使用蒸汽-固体法（VS）生长Mo掺杂的VO₂薄膜,通过SEM、XRD进行表征,纳米薄膜沿着[110]方向择优生长,是一种高纯度的单晶薄膜。通过设置对照组改变掺杂浓度,测试了在不同掺杂浓度下VO₂薄膜电阻随温度变化曲线。测试结果表明,当Mo的掺杂浓度为9%时,VO₂薄膜的相变温度降至49℃。很显然,利用Mo离子掺杂,能有效降低VO₂相变温度。基于掺杂VO₂薄膜光电响应性能测试,研究了薄膜在532nm、635nm、780nm、808nm不同波长激光器照射下的响应特性,结果表明,Mo掺杂的VO₂薄膜表现出优异的光电行为和良好的再现性。光电流显示出对辐照功率密度的强烈依赖性。随着功率密度的增加,光电流相应地增加。设计了一种以掺杂VO₂薄膜为导电沟道的场效应晶体管（MOSFET）器件,通过光刻、刻蚀、电子束蒸发、磁控溅射沉积等工艺,来完成器件的制备。进行了I_DS-V_G传输特性测试、I_DS-V_DS输出特性测试及可见光、红外光响应特性测试,电学特性表明,改变栅极电压（V_G）的大小,可实现对沟道电阻的调控。光电研究表明,通过增加栅极负电压,可缩短光电流响应时间,且响应速度更快,同时证实了所制备的MOSFET器件具有较高灵敏度和快速响应能力。