在收发机系统中，射频功率放大器时无线收发机中的核心模块之一，功率放大器已经广泛的应用在各种民用和军用的移动通信的基站当中。射频功率放大器是系统中能耗最高的一个模块，为了降低系统功耗，延长电池的使用寿命，我们必须提高功率放大器的工作效率，这样才能保证系统的节能与稳定。因此对效率的研究工作变得尤为重要。但是随着科技发展第一代和第二代半导体材料由于本身特性的限制已经不能满足技术的需求，导致了第三代宽带隙半导体材料GaN的出现。以GaN材料为代表的第三代宽带隙半导体材料相对Si和GaAs材料在击穿电压、功率密度、电子饱和漂移速度等方面具有更高的优势。这使得GaN材料在制备高频器件、大功率器件与高效率器件的方面具有独特的优势，因此国内外对GaNHEMT器件的研究越发的重视和活跃。本文选择Cree公司的GaN HEMT模型利用ADS仿真软件设计了F类高效率功率放大器和Doherty高效率功率放大器。在本论文中我们使用Cree公司的GaN HEMT器件模型通过ADS仿真软件设计了一款工作在2.5GHz的F类功率放大器。其仿真效率达到了82.122%，输出功率超过10W。接着我们同样使用Cree公司的模型利用ADS仿真软件设计了一款工作频率为3.6GHz的Doherty高效率功率放大器，其最后的仿真结果其效率达到了69.853%功率回退6dB时的效率为38.619%。而AB类平衡放大器在该输出功率时的效率为31.489%，提高了7%。