基于分布式侧面耦合包层泵浦光纤的高功率超荧光光源研究

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超荧光光纤光源是利用稀土元素掺杂光纤中的放大自发辐射(ASE)过程获得宽谱输出的光纤光源,随着输出功率的不断提升,在不同领域得到广泛应用。分布式侧面耦合包层泵浦(DSCCP)基于倏逝场耦合技术,实现泵浦功率的分布耦合,有望实现超荧光输出功率的进一步提升。本文提出基于DSCCP光纤的超荧光光源设计方案,并建立基于DSCCP光纤的超荧光光源数值模型,分析其输出特性和功率提升限制因素,并通过优化实验设计,获得高功率输出的全光纤超荧光光源。论文主要工作如下:1.基于DSCCP光纤的超荧光光源理论研究和数值仿真根据DSCCP光纤的简化的泵浦光耦合传输模型,结合速率方程理论,建立DSCCP超荧光光纤光源数值模型,该模型能够较好地描述泵浦光和信号光演变的物理过程;根据最大总增益等于腔内损耗这一寄生振荡判定条件,建立寄生振荡阈值计算模型;利用数值方法求解建立的超荧光光纤光源速率方程理论模型,研究其输出特性和限制功率提升的因素。理论研究发现:光纤输出端面的光纤反馈是限制功率提升的主要因素;此外,增益光纤长度会影响整个光纤的增益状态,增大光纤长度会导致短波部分的ASE被重吸收,在某一光纤长度下,寄生振荡波长出现由短波1045 nm向1070 nm的大幅转换,而这一光纤长度下的ASE输出功率最大,我们将其定义为最优光纤长度,该最优长度与稀土离子掺杂浓度成反比关系;较大的纤芯包层比有益于抑制寄生振荡的出现,可以一定程度上提升ASE最大输出功率。2.基于DSCCP光纤的高功率超荧光光源实验研究搭建30/250-250μm超荧光光纤光源,输出ASE功率达百瓦量级,验证了于DSCCP光纤在高功率超荧光光源上应用的可行性,并实现了全光纤结构。通过优化斜角切割参数,获得7.5°的倾斜输出端面,镜面区域宽度达到光纤直径的4/5,使得粗糙区域与纤芯距离足够大,保证了纤芯端面光学平整。在此基础上,进一步将超荧光输出功率提升到135 W,斜率效率高达79.8%,前后向光谱带宽(FHWM)分别为34 nm和32.8 nm,一分钟内的功率波动不大于±1.4%。同时,实验研究了超荧光光纤光源输出功率与增益光纤长度的关系,验证了理论上最优增益光纤长度的存在,在光纤长度为7.3 m时,获得了最大功率输出186 W,这是目前为止单级超荧光光纤光源的最高输出功率。
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