【摘 要】
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薄膜晶体管（Thin Film Transistor,TFT）作为平板显示的开关及驱动器件,其发展对显示技术的变革具有非凡的意义。目前,显示技术正趋向于高分辨率、大尺寸、高驱动和透明可柔性方向发展。传统的硅基TFT由于其各种缺点（例如非晶硅TFT的迁移率过低,多晶硅TFT的均匀性比较差,并且它们的可见光区域透明性差）严重的限制着它们在显示行业的进一步应用。与传统硅基TFT相比,金属氧化物TFT具有
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薄膜晶体管（Thin Film Transistor,TFT）作为平板显示的开关及驱动器件,其发展对显示技术的变革具有非凡的意义。目前,显示技术正趋向于高分辨率、大尺寸、高驱动和透明可柔性方向发展。传统的硅基TFT由于其各种缺点（例如非晶硅TFT的迁移率过低,多晶硅TFT的均匀性比较差,并且它们的可见光区域透明性差）严重的限制着它们在显示行业的进一步应用。与传统硅基TFT相比,金属氧化物TFT具有优秀的电学性能、透光率高、大面积均匀和制备温度低等优点,有望取代硅基器件应用于新一代的显示技术,并被研究人员广泛的关注。在本文中,主要通过静电纺丝法和溶胶凝胶法制备了高性能In2O3 TFTs。主要研究工作如下:1.通过静电纺丝法制备了In2O3纳米纤维TFTs,引入低成本、工艺简单的等离子体处理对In2O3纳米纤维TFTs的电学性能进行调控。系统的研究了不同气氛、功率和时间等离子体处理条件对TFTs电学性能的影响。经研究发现,在氧气等离子体（120 W,5min）处理下,In2O3纳米纤维TFTs获得最好的电学性能。为进一步降低操作电压,提升电学性能,TFTs采用高介电常数（κ）Zr Ox作为介电层,其开关比(Ion/Ioff)为3.4×107,阈值电压(VTH)为1.34 V以及场效应迁移率（μ）为15.12 cm2/Vs。2.通过溶胶凝胶法制备了双层沟道结构的In2O3:O/In2O3:A TFTs。在该双层In2O3TFTs中,有源层由载流子注入层和载流子传输层组成。其中,氧气氛围退火的In2O3薄膜（In2O3:O）具有致密的In2O3晶格结构,避免了缺陷态的影响,选其作为载流子传输层;空气氛围退火的In2O3薄膜（In2O3:A）具有大量的载流子作为载流子注入层。通过双层沟道结构设计,在280℃下,In2O3:O/In2O3:A TFTs形成高载流子低缺陷态的载流子传输层,获得高的电学性能和高的稳定性。
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