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随着能源消耗的日益增加,对于清洁能源的开发和利用受到了世界各国政府的高度重视,其中太阳能光伏发电有着光明的发展前景。光伏发电系统与电网需要以逆变器作为接口设备,因此光伏逆变器是现今研究热点之一。为了进一步地提升逆变器的性能,将拥有高频、高效等优势的SiC MOSFET运用于逆变器中是必然的发展趋势。但SiC MOSFET固有的开关振荡问题可能会危及到器件的安全和逆变器的电能质量,基于此,本文建立了精准的模型来为SiC MOSFET在光伏并网逆变器中的应用提供指导。此外,由于SiC MOSFET器件的引入,对于光伏逆变器的开关频率的提升效果非常显著,因此本文针对高开关频率下的逆变器控制策略展开研究,提出了一种恒频自适应滞环控制。本文以Cree公司生产的CCS050M12SM2型号的1.2 kV-SiC MOSFET作为研究对象,通过双脉冲实验得出了SiC MOSFET器件的各项特性曲线,为验证和分析模型的可靠性提供了参考。在此基础上本文建立了SiC MOSFET的静态特性模型和非线性电容模型。基于不同工作区域的情况,推导了静态特性参数的数学方程。针对各个寄生电容运用了不同的方式对其数学模型进行推导,利用双曲正切函数对Cgs进行非线性处理;利用Cgd的米勒效应获取其电容值与电压间的关系式;采用拐点前后分段拟合的公式描述Cds变化趋势。针对高开关频率的SiC并网逆变器控制策略展开讨论,分析了滞环控制的基本原理,得出了传统滞环控制环宽与开关频率之间的关系式,由此指出传统滞环控制受开关频率制约会导致控制精度降低,且开关频率会在一定范围内波动。基于此,本文提出了一种运用于LCL型逆变器的变环宽自适应滞环控制,考虑参考电流的斜率设计出环宽计算环节,通过实时调控环宽来实现恒定的开关频率,该控制方式在高频的SiC逆变器中可实现非常高精度的电流跟踪效果。构建了SiC三相光伏并网逆变器系统,对提升开关频率后的逆变器电路和控制器参数进行设计。在Saber环境下进行仿真,逆变器系统中采用了本文提出的SiC MOSFET模型。通过对比仿真和实验的开关振荡波形,验证了本文模型的准确性和适用性。对比研究不同开关频率下仿真和实验的并网电流波形,分析了开关振荡对高频下的SiC逆变器性能的影响,并给出了阻尼振荡电路的设计方式,通过仿真验证了阻尼效果。