摘 要 在过去的十几年里，基于 Si 的 SiGe 异质结双极晶体管（HBT）技术取得了快速进展，SiGe HBT 的性能远远优于 Si BJT，并在某些方面优于 AlGaAs/GaAsHBT、GaAs MESFET，所以 SiGe HBT 具有广阔的应用前景。器件被广泛应用的前提是其可靠性问题，而当前的研究主要集中在提高器件性能参数上，对其可靠性的研究还很少，对失效现象和失效机理还不明了。针对这一点，本文对 SiGeHBT 的可靠性进行了研究，总结如下： 首先，本文对 SiGe HBT 进行三种电应力加速实验：OC 应力（集电结开路，发射结反向偏置）方法，FC 应力（集电结正向偏置，发射结反向偏置）方法，SC 应力（集电结短路，发射结反向偏置）方法。实验表明，三种应力下，器件的退化与注入的热载流子的数量、能量以及类型有关，与基区复合增强杂质扩散有关。 其次，本文还对 SiGe HBT 进行了高温存储（热应力）、高温存储并加 OC电应力（热电组合应力）实验。我们发现在高温存储条件下，随着应力时间的增加，在电流增益β下降的同时，BC 结的导通电压增加，而 BE 结结特性变化甚微，这可能与器件在集电结侧发生了基区杂质外扩有关。在高温存储与 OC 电应力同时存在的条件下，随着应力时间增加，电流增益β比只有热应力时下降速度更快，这主要是由 IB 的增加引起的，这可能与基区的缺陷增加导致少数载流子扩散长度减少有关。 最后，本文也对 SiGe HBT 的温度特性进行了研究，并给出了器件在 23oC～260oC 的温度范围内器件参数的变化情况。得到了实验中 Si/Si0.85Ge0.15/Si HBT 的BE 结导通电压随温度的变化率 dVBE/dT 为-1.5mV/K，比 Si 同质结（Si BJT）的-2mV/K 小，并据此得到了实验中 Si0.85Ge0.15 材料在绝对 0 度时的禁带宽度 Eg-SiGe＝1.09 eV；还据此证明了 SiGe HBT 适合微波功率应用。