近年来,手性拓扑磁构型引起了磁学界的广泛关注,这种特殊的磁构型通常出现在具有DM(Dzyaloshinskii-Moriya)相互作用的手性磁体中。由于反演对称性破缺,非中心对称结构中的自旋与轨道发生耦合,产生DM相互作用。DM相互作用的量级小于铁磁交换作用,两种相互作用的竞争结果是磁体表现出手性螺旋有序的基态。利用外加磁场,螺旋磁有序可被调制为手性斯格明子、手性磁浮子、手性磁孤子等自旋结构,它们具有拓扑保护、纳米尺寸、电流驱动等性能特点,因此可以作为下一代自旋电子器件应用的潜在材料。目前发现磁孤子的材料只有CrNb3S6和YbNi3Al9两种体系,本文以YbNi3A19为研究对象,全文的工作内容如下:第一章对螺旋磁有序材料中手性磁孤子晶格的定义、物理性质和实验方法进行简要的描述。本章首先介绍了磁孤子形成的理论背景,包括手性结构与螺磁材料的基态之间的关系、DM相互作用的微观起源以及磁孤子的形成条件与过程。然后,从晶体结构、电学、比热、重费米子和磁性等五个方面详细介绍了 YbNi3A19的性质。第二章主要研究YbNi3A19的磁性和临界现象。当外加磁场垂直于c轴时,我们发现了与磁场相关并有回滞的磁性台阶,这可能对应着磁孤子相变。基于对Tc附近等温磁化曲线的分析,得到临界参数为β=0.1307(2),γ=0.17955(4),δ=14.1043(7),均满足Widom标度理论和Rushbrooke定律。临界分析的结果与2D-Ising模型非常接近,其空间维度d=2,自旋维度n=1,证明在YbNi3A19的二维框架中发生的是一维磁性耦合。第三章主要对层状YbNi3A19在不同晶向的场致磁相变进行研究。外磁场的施加方向分别垂直(H⊥c)和平行(H//c)于c轴,我们发现H⊥c和H//c具有不同的普适磁熵变曲线。通过普适性标度法则,计算出由外磁场诱导相变对应的额外的磁熵变(|△SMabc(T,H)|)。结果证明,H⊥c方向的|△SMab(T,H)|源自场致的螺旋自旋结构,H//c方向的|△SMc(T,H)|是来自于场致的倾斜反铁磁相变。第四章主要通过电子自旋共振(ESR)对YbNi3A19的微波响应机制进行研究。我们分别测试了 H⊥c和H//c两个方向的ESR光谱,结果表明H⊥c方向上有明显的微波共振,H//c方向则没有明显信号。在H⊥c方向上的两个共振峰被分别标记为Hr1和Hr2。实验证明,Hr1随着温度的增加而增加,与YbNi3A19的手性螺磁结构有关;Hr2的大小约20Oe且几乎不随温度变化,因此Hr2与磁孤子相关。第五章为总结与展望。