随着电子技术的迅速发展,为适应各种快速微处理器、便携式电子产品和服务器供电的需求,低电压大电流输出变换器的研究成为十分重要的课题之一。在低电压大电流输出的情况下,使用一般的二极管整流,整流损耗占了变换器总损耗的一半以上,很难达到高效率。使用同步整流技术则可以较大地减少整流损耗,从而提高变换器的效率。不管采用那种同步整流技术,都是通过使用低导通电阻的MOSFET替代输出侧的整流二极管,以最大限度地降低整流损耗。而VDMOSFET作为功率MOS 器件的主流在同步整流电路里面得到了广泛的应用。同步整流电路中功率VDMOS 的导通电阻是导致功率损失的原因之一。但是在高效率的功率转换器中,导致功率损失的另外一个主要原因是功率VDMOS 的体二极管。为了提高整流器的转换效率,本文在充分了解功率VDMOSFET 器件发展状况、分析VDMOSFET 器件工作原理的基础上对功率VDMOSFET 体二极管进行了优化设计。主要工作可概括为以下三个方面: 1、从调整器件参数方面来优化体二极管,在不改变工艺流程的前提下,得到了较为满意的结果。反向恢复电荷减少30%。具体内容在第三章中阐述。2、从减小少子注入的原理入手提出了一种改进的VDMOSFET 结构。此结构采用三极管分担电流从而减少体二极管反向恢复电荷。基于此思路,新结构VDMOSFET 反向恢复电荷减少36.7%。具体内容在第四章第一节中阐述。3、从减小少子注入的原理入手提出了另一种改进的VDMOSFET 结构。此结构采用肖特基二极管分担电流从而减少体二极管反向恢复电荷。基于此思路,新结构VDMOSFET 反向恢复电荷减少40.8%。具体内容在第四章第二节中阐述。