ITO(Indium Tin Oxide)是一种重掺杂、高简并的n型半导体,具有一系列优异的光学、化学、电学性能。本研究以金属铟和氯化锡为原料,采用化学共沉淀法制备了纳米ITO粉体。研究了在不同的pH值、不同分散剂和不同的煅烧温度对粉末粒度、形貌、结构和团聚的影响,并用差热分析(TG-DTA)、X-射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)对所制得粉体进行了较全面的表征,发现在pH值为9,并添加分散剂,在750℃下煅烧2h所得电阻为6.49Ω·cm纳米ITO粉体的性能为最佳。 试验进一步将ITO粉体加工成浆料,并且研究了不同的分散介质,分散方法以及不同的pH值的条件下对浆料稳定性的影响。采用透射电镜(TEM),和ζ电位对浆料的稳定性进行表征。运用了先进的分形理论对浆料的沉淀物进行了分析。利用沉积物的自相似性来计算出浆料的分维值,对其分形维数与浆料稳定的关系进行分析,从而对整个浆料的分散状态进行判断。通过对浆料制备工艺参数的筛选,确定了采用乙醇为分散介质并添加改性剂,在6000rpm速度下剪切30h,然后再将浆料的pH值调节至3的实验条件下,制备的浆料分散性和稳定性最好,ζ电位和浆料的分形维值均证明了相同的结论。 最后,在前面实验的基础上,对纳米粉体和浆料的制备进行了综合实验,获得了电学和光学性能优异的纳米ITO粉体和浆料。ITO的平均粒径为20nm,浆料的分维值为3.10。这一方法有利于直接进行涂膜,满足了不同的生产需要,降低了生产成本,简化了生产工艺,应用前景广阔。