稀磁半导体（DMS）在传统半导体的基础上引入了自旋这一新的自由度，使之可能成为微电子工业有广泛应用前景的新型电子器件。近年来，人们对其进行了大量的实验和理论研究，主要集中在以下几个方面的探索：（1）DMS材料中的电子结构、自旋输运等；（2）DMS材料的铁磁性起源；（3）影响DMS居里温度的因素。AIN是一种宽带隙半导体，AIN基的稀磁半导体不仅可能具有更高的居里温度，而且可以制成多种可能的全半导体自旋电子器件，因此极具研究价值。本文采用基于密度泛函理论的第一性原理超软赝势平面波方法，通过构造超原胞模型，对Al_1-xCr_xN和Al_1-xV_xN体系的基态电子结构和磁性质进行了研究。 首先，对体系的晶格参数进行了优化，得出了晶格常数随掺杂浓度的变化关系；同时，也对两种浓度（x=0.03125，0.0625）下体系的铁磁相进行了能带结构和态密度的计算，并依据计算结果对其电子结构和磁性进行了分析。 其次，我们计算了两个Al原子分别被Cr或V原子替代时体系处于铁磁和反铁磁状态下的总能，找出了能量最低的掺杂构形，讨论了过渡金属原子的无序分布对体系电磁性质的影响，并推测出体系可能的磁性产生机制。 最后，我们采用蒙特卡洛模拟结果对体系的居里温度进行了估算，得出两种体系都具有非常高的居里温度（远高于室温），并讨论了Cr、V原子的无序分布对体系居里温度的影响。