硅漂移探测器（Silicon drift detector,简称SDD）是一种侧向耗尽型的器件,该器件一般工作在全耗尽状态下。通过在器件漂移环上施加适当的电压,一方面使器件衬底发生全耗尽,另一方面产生一个横向的漂移电场。光生载流子在漂移电场的作用下,横向漂移到阳极形成输出信号。通过对输出信号的大小进行分析,可以得到入射粒子的能量。各漂移环围绕中心阳极呈同心环分布。为了实现较高的收集效率并使辐射产生的电子很快地漂移到阳极,必须在所有漂移环上施加合适的电压,这样就需要很多的外部连线进行连接。一种有效的方法是在各漂移环之间集成分压器,这样外部电压就只需施加在与阳极相邻的最内环和漂移区边缘处的最外环上,大大简化了器件结构。为了在漂移环之间实现均匀分压的作用,分压器的设计与工艺实现就显得格外重要。本论文采用了不同的工艺方法对SDD分压器进行了制备,研究了不同工艺条件下制备的分压器的性能。主要研究成果如下:（1）研究了分压器的尺寸设计。通过二维模拟的方法确定了合适的分压器宽度为10μm。（2）研究了扩散法制备分压器。分别研究了改变扩散时间、扩散期间O₂流量、预氧化期间O₂流量和测试温度对分压器的影响。该方法简单,容易实现。缺点是难以实现浅掺杂和轻掺杂,所得分压器的方块电阻较小,所以这种方法不适合用来制备分压器。（3）研究了多晶硅法制备分压器。使用先沉积一层非晶硅,然后退火的方法得到多晶硅层。分别研究了改变非晶硅生长时间、退火温度和测试温度对分压器的影响。该方法的操作温度较低,且沉积的薄膜较均匀,制备得到的分压器的方块电阻较大,缺点是难以实现对掺杂浓度的严格控制。（4）研究了离子注入法制备分压器。分别研究了离子注入的剂量、能量和测试温度对分压器的影响。该方法工艺温度较低,结深和掺杂浓度较容易控制,所得分压器的方块电阻较大且可以精确控制。最后将离子注入型分压器集成到SDD中并且实现了在各漂移环之间均匀分压。