钙钛矿材料凭借其优异的瞬时特性已然成为当下光电子领域的研究热点。虽然国内外学者采用光泵浦与电注入方式激励钙钛矿量子点发光已取得了较为卓越的成果。但在激励方式与器件结构层面,传统激励方式与泵浦方式均存在一定技术约束,并限制着钙钛矿材料进一步器件化与商业推广。为此,本文基于钙钛矿量子点电子束泵浦激射机理,设计并构建了一种全新的钙钛矿量子点调制电子束泵浦器件结构,并针对该新型器件所需的若干关键技术开展了研究,主要分以下三个部分:首先,依托钙钛矿量子点电子束泵浦激射机理,探讨不同类型的传统电子束泵浦器件结构特点,分析并明确阐述钙钛矿量子点电子束泵浦激射机理对新型电真空半导体器件提出的新要求。针对电子束泵浦激射的调制器件结构的特点,确定本文所设计的冠状电子束泵浦器件结构的基本特征。其次,根据CsPbBr3量子点薄膜与电子束泵浦之间的约束关系,使用Computer Simulation Technology（CST）仿真软件设计了冠状电子束泵浦器件的腔体与腔体内部的栅极结构,并完成了参数优化。揭示了冠状电子束泵浦调制器件各栅极间对器件整体功率利用率与调制电流比之间的约束关系。最后,结合钙钛矿量子点冠状电子束泵浦调制器件的最优化设计方案,对器件的阴极、外壳、栅极以及驱动电源等关键部分进行试制。