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铜基硫属化合物是一类重要的半导体材料，在催化、化学传感器、光电子器件、太阳能电池等领域有着广泛的应用。本文以三元铜基硫属化合物铜铟硫（CuInS2）和二元铜基硫属化合物硒化铜(Cu1.8Se、Cu2-xSe)为研究对象，系统研究其液相可控合成，并探讨其在光电子器件领域的应用。具体研究工作如下：1.以硝酸铜、硝酸铟和硫脲为反应物，通过乙二醇溶剂中的溶剂热反应，成功合成了立方晶系CuInS2花状微球。实验结果表明，纯相CuInS2所需合成温度为200°C，EDS分析表明产物为富Cu相，而220°C所得产物为富In相，基于CuInS2微球的场效应器件测试表明，200°C所得CuInS2微球的导电类型为p型，因而有望通过反应温度的变化实现产物CuInS2导电类型的可控调节。光学和电学测试表明CuInS2微球的禁带宽度约为1.62eV,电导率为2Scm-1，与通过传统高真空技术制备的CuInS2薄膜的电学性能相近，因此产物CuInS2微球有望作为光伏器件的吸收层材料，用于为低耗、高效CuInS2基光伏器件的制备。2.以硒单质、硝酸铜作为反应物，通过乙二胺溶剂中的溶剂热反应，成功的合成了立方晶系的Cu1.8Se花状微球。实验结果表明，适量的表面活性剂PVP（0.5mmol）将促进均匀的立方晶系的Cu1.8Se花状微球的形成，而随着PVP含量的增加（5mmol），主要产物为转变为六方晶系CuSe。此外，以硒单质溶于乙二胺形成的均匀溶液作为硒源，将有利于均匀的花状微球的形成。3.以硒单质、硝酸铜以及水合肼作为反应物，通过NaOH和KOH的混合碱液（Na/K原子比为48.5:51.5）中的水热反应，成功的合成了立方晶系的Cu2-xSe纳米线，SEM分析表明产物长达20μm，直径约300-500nm。在Cu2-xSe纳米线两端分别蒸镀上Cu电极和惰性的Au电极并进行电学性能测试，结果表明Cu-Cu2-xSe-Au器件的I-V曲线具有明显的电学回滞现象，并具有很好的重复性，表明Cu2-xSe纳米线有望应用于非易失性纳米存储器领域。