CHF<,3>等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜时C∶F沉积的影响与控制

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【摘要】

：

随着超大规模集成电路(ULSI)中器件密度不断提高、特征线宽不断减小,器件密度和连线密度的增加使得器件内部金属连线的电阻和绝缘介质层的电容增大,导致阻容(RC)耦合的增大,进而使得信号传输延时增加、干扰噪声增强和功率耗散增大。为了解决这些问题,用低介电常数(低k)和超低介电常数(k < 2)材料替代传统的SiO_2层间绝缘介质,降低绝缘介质的介电常数,成为可能的途径。作为最有希望替代SiO_2的材

【作者】

：

施国峰

【机构】

：

苏州大学

【发表日期】

：

2010年04期

【关键词】

：

多孔SiOCH薄膜 CHF3等离子体刻蚀 C:F沉积

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