【摘 要】
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首先本文在第一章中介绍了低维半导体量子点在国内外的研究现状,背景和意义.第二章具体介绍了谐振子乘积基展开法,推导了二维N体系统的Talmi-Moshinsky变换系数.然后考虑处于
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首先本文在第一章中介绍了低维半导体量子点在国内外的研究现状,背景和意义.第二章具体介绍了谐振子乘积基展开法,推导了二维N体系统的Talmi-Moshinsky变换系数.然后考虑处于外磁场中被抛物势约束的N层单电子垂直耦合量子点系统,即每层量子点仅含一个电子,写出了该系统的哈密顿量,从理论上获得了二维N层单电子垂直耦合量子点能量矩阵元的计算公式.第三章研究双层单电子垂直耦合量子点系统在不同自旋(自旋单态和自旋三态)和不同耦合强度(单个量子点情况、强耦合情况及弱耦合情况)下量子点的能量随外磁场的变化情况.绘出了能量随外磁场变化的函数曲线,获得了耦合强度对幻数角动量和自旋跃迁的影响.最后在第四章中研究了处于外磁场中四层单电子垂直耦合量子点系统.得到了总自旋分别为S=0,1,2时,在不同的耦合强度下基态跃迁随外磁场的变化情况.
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