光子晶体是由不同介电常数的周期性电介质材料组成的,由于其独特的光子禁带性质,广泛应用在光学器件、光集成、探测和红外传感器等领域。目前多种制备方法中,光电化学腐蚀法以其低成本、工艺简单、制作周期短和可控性强等优点,具有更实际的应用价值。本文采用三角晶格排列的掩膜板结构,应用硅光电化学腐蚀与半导体微细加工工艺相结合的方式,在n型(100)晶向背面磷掺杂的硅衬底上制备三维光子晶体。研究了腐蚀时间与通道长度的关系以及光电流与孔径的关系,得到通道长度和腐蚀时间的关系,由此间接的推算出临界电流密度和腐蚀时间的关系。根据这两个关系设计调整光电流,确定最佳腐蚀电流曲线,制备周期变化的三维孔道结构。采用时域有限差分法,应用beamprop软件对晶格常数为6μm宏孔硅三维光子晶体结构的带隙影响因素进行仿真计算,分析了晶格排列、通道孔径和介电常数对宏孔硅三维光子晶体结构的禁带宽度的影响,确定具有最宽光子禁带的参数。