【摘 要】
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W-Cu合金因其具有良好的导电、导热性能,同时又具有与半导体芯片相近的热膨胀系数,因此被广泛地应用于电子封装材料。一般熔渗法制备出的板材厚度较厚、密度低,很难满足电子封装材料的使用要求,针对该问题本文利用热模拟压缩实验研究了温度和应变速率对W-Cu20合金热压缩流变应力的影响,分析了W-Cu合金内部的变形机理,并从中获得最佳轧制工艺。利用最佳轧制工艺对W-Cu20合金进行轧制,成功轧制出变形量75
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W-Cu合金因其具有良好的导电、导热性能,同时又具有与半导体芯片相近的热膨胀系数,因此被广泛地应用于电子封装材料。一般熔渗法制备出的板材厚度较厚、密度低,很难满足电子封装材料的使用要求,针对该问题本文利用热模拟压缩实验研究了温度和应变速率对W-Cu20合金热压缩流变应力的影响,分析了W-Cu合金内部的变形机理,并从中获得最佳轧制工艺。利用最佳轧制工艺对W-Cu20合金进行轧制,成功轧制出变形量75%的致密W-Cu20合金薄板。研究中通过扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)分析了W-Cu20合金的组织演变、物相组成。并通过密度天平、显微硬度计、电子万能试验机、激光导热系数测量仪、热膨胀仪等对W-Cu20合金的致密度、力学性能、热学性能进行测试。结果表明:1.随着温度的降低和应变速率的增加,W-Cu20合金的流变应力以及峰值应力明显增大。在应变速率一定,温度为850℃时的W-Cu20合金的裂边程度最轻微;变形温度一定,应变速率为0.1 s-1时的W-Cu20合金裂边程度最轻微;综合上述结果,850℃、0.1s-1的应变速率为最佳热轧制工艺参数。在热压缩时W-Cu20合金的裂边以W-Cu界面分离为主要的断裂方式。2.利用热模拟实验得出的最佳轧制工艺参数对W-Cu20板材进行包套热轧制,制备出致密且无裂纹的W-Cu20薄板。随着轧制变形量的增加,大多W颗粒沿着轧制方向发生变形,呈长条状。部分W颗粒受到大的轧制压力发生破碎,形成细小的W颗粒。相对密度和硬度随着轧制变形量的增加而不断增加,当轧制变形量为75%时,相对密度和硬度达到99.8%和457 HV。随着轧制变形量的增加,W-Cu20合金板材的抗拉强度不断增加,延伸率不断减小,当轧制变形量为75%时,板材的抗拉强度为852.42MPa,延伸率为3.12%。从拉伸断口形貌来看,主要为W-Cu界面的开裂、W颗粒的破裂、W颗粒的解理断裂以及Cu相的撕裂,宏观上表现为脆性断裂。3.XRD测试表明,经过轧制后的W-Cu20合金板材并没有新相产生,但是W和Cu的某些峰位均存在向较低角度移动的现象,这表明随着轧制变形量的增加,晶面间距明显增加。W和Cu相在较大的轧制力下发生晶格畸变,并导致位错密度不断增加。W-Cu20合金的热膨胀系数随着轧制变形量的增加不断减小,当变形量为75%时,热膨胀系数为7.19×10-6 K-1。W-Cu20的热导率和电导率随着轧制变形量的增加不断减小,当轧制变形量为75%时,W-Cu20合金板材的热导率和电导率分别最高仅有131.09 W/m·k、32.41 IACS%。
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