光电子产业是21世纪的支柱产业。利用现有的硅技术实现光电子器件集成是当前光电子产业发展的一个重要趋势。由于其发光的稳定性、结构的稳固性以及所具有的受激辐射特性，在过去的几年里已经成为制造硅光源的优选材料。工作中所涉及的nc-Si的电致发光研究是nc-Si 实用化的重要步骤。 本论文主要包括两部分工作：其一是镶嵌在SiO<,2>介质中的纳米晶Si(nc-Si：SiO<,2>)的电致发光(EL)鉴定；其二是nc-Si：SiO<,2>的EL 增强研究。 一、通过对比室温下的单层nc-Si：SiO<,2>和SiO<,2>的光致发光(PL)以及电致发光(EL)特性，得出结论：nc-Si：SiO<,2>的EL包括纳米晶Si和缺陷两部分的发光，并且分析了nc-Si：SiO<,2>的PL和EL的峰位不同的原因。我们还发现，通过钝化nc-Si：SiO<,2>界面的方法只能增强纳米晶Si的PL强度，而不能提高纳米晶Si的EL强度。 二、我们在nc-Si：SiO<,2>掺入适量的稀土元素Ce<3+>，提高了纳米晶Si的光致发光强度，同时发现它对纳米晶Si的电致发光也起到一定的改善作用。但是要实现可实用的硅光源，电致发光强度必须得到大幅度的增加，所以必须进一步研究出更加有效的掺杂方法来提高纳米晶Si的EL强度。