【摘 要】
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为了获得具有高精密性的高阻值电阻薄膜,该文在Cr-Si硅化物靶材中加入Al元素,溅射制备一系列Cr-Si-Al系电阻薄膜,具体研究靶材成分、制备工艺与溅射薄膜微观结构、电学性能的
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为了获得具有高精密性的高阻值电阻薄膜,该文在Cr-Si硅化物靶材中加入Al元素,溅射制备一系列Cr-Si-Al系电阻薄膜,具体研究靶材成分、制备工艺与溅射薄膜微观结构、电学性能的关系,这有助于掌握电阻薄膜性能的变化规律,获得切实有效的生产工艺.该文采用电子探针(EPMA)分析了Cr-Si-Al系溅射薄膜及其靶材的成分,并用原子力显微镜(AFM)观察各种靶材溅射膜表面形貌结构用X射线衍射仪、透射电镜(TEM)结合示差扫描量热仪(DSC)分析了Cr-Si-Al-Ni非晶薄膜在加热过程中的晶化行为.考察了铝含量对Cr-Si-Al-Ni薄膜微观结构和电性能的影响,并结合X光电子能谱仪(XPS) 研究空气中退火时不同铝含量薄膜氧化层的结构.研究了溅射氮气氛对Cr-Si-Al电阻薄膜结构、电性能影响,研究结果表明,氮的加入抑制了晶化相的形核和长大,与Cr-Si-Al薄膜相比, Cr-Si-Al-N薄膜欲获得较小电阻温度系数(TCR)需要更高的退火温度.由于Cr-Si-Al-N膜层具有较佳的结构稳定性,它比Cr-Si-Al薄膜有着更高的电学稳定性.
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