半导体光电导开关是利用超快脉冲激光器与光电导体相结合形成的一类新型器件，具有开关速度快、触发抖动小、耐高压能力强等优点。Ⅲ-Ⅴ族半导体(如GaAs等)中发现的强电场下的非线性特性，为光导开关的小型化，实用化，集成化提供了现实的可能性，因此倍受人们关注。 本文对GaAs材料的固有特性进行研究，解释了光导开关具有开关速度快、触发抖动小、耐高压能力强等优良特性的原因；讨论了在n型GaAs半导体中掺入深能级杂质Cu所得到的补偿GaAs半导体材料特性。建立了基于漂移-扩散理论的模型方程，该方程较为全面的考虑了大功率器件在强电场下所呈现出的独特现象，并利用有限差分法对器件的静态、瞬态特性进行了数值模拟；通过对比光脉冲作用前后器件内电场的分布情况，说明了光导开关非线性工作模式的物理本质。