随着体硅CMOS技术的发展,需要从材料选用、器件结构以及加工技术等各个方面进行创新,其中以应变硅为代表的沟道高迁移率增强技术,以金属栅/高k栅介质的新型栅结构,以及以SOI、FinFET为代表的新型MOSFET结构均成为22 nm及其以下技术节点的主流技术。与体硅MOS器件相比,SOI MOSFET器件在各个应用领域都表现出巨大优势,对于ETSOI MOSFET器件,硅膜厚度自然地限定了源漏结深,器件工作时沟道处于全耗尽状态,从而可改善漏致势垒降低(DIBL)等短沟道效应,也改善了器件的亚阈值特性,降低了电路的静态功耗。ETSOI MOSFET器件无需沟道掺杂,可以避免因掺杂而引起的沟道迁移率退化,从而保持阈值电压稳定。此外,ETSOI MOSFET器件衬底具有全局埋氧绝缘层,从而降低了源漏扩散区与衬底之间的寄生结电容,并且能使顶层硅完全隔离,因此提高了器件速度,消除了闩锁效应。然而,全局埋氧绝缘层也给ETSOI MOSFET器件带来了两个严重的缺陷,一是浮体效应,另一个是自加热效应。针对以上问题,我们提出了一种新型准SOI器件结构Silicon-on-Nothing(SON)MOSFET,这种器件结构消除了ETSOI MOSFET沟道区下面的埋氧绝缘层,顶层硅通过锗硅层和衬底连通,而源漏区域下方是埋氧绝缘层结构,从而改善了ETSOI MOSFET器件的自加热效应和浮体效应,且减小了器件的漏电流和功耗,避免了SOI晶圆成本过高限制。由于该器件沟道下面埋氧绝缘层被锗硅层替代,既改善了器件的散热性能,同时,双轴应变Si/GeSi异质结构可以使沟道中的电子和空穴迁移率都得到显著提高。