耐高温高压压力传感器在航空、石油以及汽车领域的应用越来越广泛,需求也越来越大,但我国对耐高温高压压力传感器的研究相对落后,国内市场的高端耐高温、高压压力传感器主要靠进口。世界各国对耐高温、耐高压的传感器的研究较为深入,但对可同时承受高温、高压的压力传感器的研究相对较少。且目前的压力传感器市场走势偏向于将器件微型化、小型化,最好可集成。所以研究可同时耐高温与高压的压力传感器,并实现传感器的微型化对于解决我国高端压力传感器市场空缺具有重大意义。基于声表面波的压力传感器可实现无源无线的测量,适应于各种不能使用传输线的严苛环境。AlN压电薄膜能够承受上千度的高温,在高温环境下仍然具有高的稳定性。在工业生产中,通常采用直流或射频磁控溅射法制备AlN薄膜,而磁控溅射工艺与MEMS技术具有很好的兼容性,可实现小体积、轻重量、高集成度的工业大规模生产要求。基于上述问题与分析,本文对基于AlN的耐高温、高压的声表面波压力传感器开展了研究。具体的科研工作与结果如下:为制备耐高压压力传感器,并研究在高压下器件失效的机理,设计了不同厚度与不同尺寸的压力敏感膜。使用COMSOL多物理场仿真软件对压力传感器的谐振模态进行了仿真,对声表面波不同谐振模态下对应的频率进行了研究。由于压电式传感器的谐振频率受温度影响较大,所以对声表面波传感器温漂效应的机理进行了介绍,器件的负温度系数来源于材料本身负的杨氏模量温度系数。为减小器件的温度漂移,选择了具有正一阶杨氏模量温度系数的SiO2对器件的温漂进行补偿。并设计了不同层的温漂补偿层,并利用COMSOL多物理场仿真对不同结构的温漂补偿层进行仿真研究,结果表明在压电层底层的温补层能获得最好的温漂补偿效果,但由于工艺限制选择了效果次之的顶部温补层结构。设计了新型的IDT与反射栅的结构,新型结构能够抑制体声波在反射栅与叉指电极处由于周期性中断而导致的能量辐散。对压力敏感膜的应变进行了仿真,仿真结果表明在压力敏感膜中部最适用于制备声表面波谐振器。依据将谐振器设计在应变集中区可提升压力灵敏度的指导思想设计了压力传感器的版图,并使用标准的MEMS技术完成了器件的制作。根据器件设计了背腔加压与正面加压的封装结构。通过对器件的耐压极限进行测试,得到了不同压力敏感膜的耐压极限,分析发现通过背腔加压会造成器件的耐压提前失效。结合实验数据通过仿真得到了SOI材料破裂时内部最大应力约等于552MPa。对压力传感器得温度与压力特性进行了测量,压力传感器在常温常压下的谐振频率为468.97MHz。器件的温度特性测试结果表明传感器可以在-50～500℃环境中稳定工作,器件的温漂低至TCF≈-35.5ppm/℃;压力传感器的压力频率系数为PCF≈158ppm/MPa,压力测量范围为0～2MPa,说明器件可耐高压且压力灵敏度较高。