通过调节Al组分可以利用AlGaN材料实现日盲紫外的探测,同时,Ⅲ族氮化物更是为紫外-红外双色集成探测器的实现提供了可能性。GaN/AlGaN量子阱具有高达2ev的可调带阶和飞秒量级的子带弛豫时间等突出的优势,是中短波红外光电器件的极佳选择,尤其在3μm～5μm大气窗口波段有着非常广泛的应用。然而目前关于此红外工作波段的基于Ⅲ族氮化物光电器件的报道甚少,所以开展对Ⅲ族氮化物紫外-红外双色探测器的研究有极大的科研和应用价值。本论文简单的介绍了GaN/AlGaN紫外-红外双色探测器的结构和工作原理,重点开展了对GaN/AlGaN双色探测器的关键工艺技术包括电极制备、光栅耦合及器件制备的研究工作,具体内容如下：(1)研究了N2和02两种气氛下退火条件对Ti/Al/Ni/Au合金在AlGaN外延层上欧姆接触特性的影响。通过不同条件下的合金元素分布分析了退火温度、时间和气氛等条件来对比接触电阻率和表面粗糙度的影响；分析了二步退火对比接触电阻率的改善作用,通过优化条件获得了较低的比接触电阻率(9.4×10-5Ω·cm2)(2)利用FDTD方法对光栅的周期、占空比、金属厚度等结构参数进行了优化,并通过实验验证了光栅耦合的增强效果。设计了三维金属光栅结构来进一步提高耦合效果,并对三维金属光栅结构的工艺制备进行了摸索。(3)设计了不同结构金属光栅耦合的GaN/AlGaN量子阱红外探测器,阐述了器件的工艺流程并利用微纳加工技术进行了制备。通过测试分析了GaN/AlGaN量子阱红外探测器存在的问题及改进方案。