含有Fe、Co基的复合纳米膜材料具有高磁导率、高损耗等特点,可实现微波的宽频带吸收,是一类具有很大发展潜力的新一代吸波材料。退火处理是FeCoB-SiO2磁性纳米膜制备工艺中的一个关键环节,随着人们对磁性薄膜电磁性能的要求越来越高,退火处理成为改善纳米磁性膜性能的重要手段之一。本文主要研究了GHz高频应用的磁性纳米膜经过不同退火条件处理前后,电磁性能的变化规律。通过比较和分析制备样品经过退火处理后的电磁性能曲线和理想材料的模拟曲线,制定出最佳退火条件。根据薄膜样品制备及热处理方法,分析了FeCoB-SiO2磁性纳米膜的溅射制备及真空退火处理工艺,改善了实验方案。结合已有的实验条件,建立了小尺寸薄膜样品退火处理平台,组装了GZL-1200型管式真空退火炉,建立了一系列合适的退火步骤,解决了薄膜样品的固定及送取问题,排除了升温过程中常见的设备故障。通过反复的改变退火条件,对典型样品作了退火前后、不同退火时间和退火温度处理下的电磁性能的比较。对于FeCoB-SiO2系列不连续多层磁性纳米颗粒膜样品,200-300℃温度范围内的退火处理1小时,可以得到调控薄膜的各向异性场。通过控制不同温度下的真空退火,可以得到在GHz微波频段同时具有高磁导率和高磁损耗的薄膜样品。1GHz处薄膜复磁导率实部和虚部均大于200,电阻率可达1.67μΩ?cm,该薄膜后处理工艺可应用于提高微波吸收材料性能的研究。