n-i-p型非晶硅薄膜太阳电池的制备及性能研究

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往全球硅材料日趋紧缺、价格不断上涨的背景下,非晶硅薄膜太阳电池因其材料消耗少、成本低、性能提升空间大而越来越受到世界各国的关注。本文在制备n-i-p型非晶硅薄膜太阳电池的基础上,重点研究了衬底形貌、背反层结构以及窗口层工艺条件与电池性能的联系。首先,我们将一种新颖的具有准周期性纳米坑状织构的Al衬底应用到n-i-p型非晶硅薄膜电池中,并同基于商用氟掺杂SnO2(SnO2:F,简称FTO)透明导电玻璃衬底(型号:Asahi ANS14)及平板衬底的n-i-p型非晶硅电池性能做了比较。表征结果显
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