【摘 要】
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近年来，随着集成电路工艺水平的不断进步，集成电路设计技术的日益成熟，模拟集成电路的设计得到较大的发展，对电路性能要求也不断地提高。基准电压源作为电路的基本标尺，为模拟集成
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近年来，随着集成电路工艺水平的不断进步，集成电路设计技术的日益成熟，模拟集成电路的设计得到较大的发展，对电路性能要求也不断地提高。基准电压源作为电路的基本标尺，为模拟集成电路提供稳定的偏置电压或由其转化的偏置电流，所以设计高精度的基准电压源对整个芯片系统尤为重要。本文基于SMIC0.18μm标准CMOS工艺，设计了三种高性能基准电压源，并针对每一款基准源的温度特性和电源抑制比特性提出改进方案，使其达到高性能混合信号集成电路的性能要求。论文采用电压求和模式设计了一种固定1.21V输出的带隙基准电压源，利用电阻温度系数进行温度补偿，电路结构简单。仿真结果显示最小工作电压为1.3V，温度系数为5.89ppm/℃，电源抑制比为84.61dB，版图有效面积为180*70μm2。采用电流求和模式设计了一种可任意调节输出基准电压的基准源，利用VBE的线性化进行温度高阶补偿，结构相对复杂，功耗较大。仿真结果显示温度系数达到5.26ppm/℃，电源抑制比达到85.0dB，输出电压调节范围为0~0.74V。采用MOSFET的亚阈值温度特性和负反馈技术实现了一种低压低功耗基准源，利用电阻进行温度补偿后，温度系数达到17.6ppm/℃，电源抑制比为44dB，功耗只有2.448μW，最低工作电压为0.75V。
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