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二氧化钒(V02)是一种固态热致相变材料,在温度升至68℃时会发生非金属-金属的可逆转变。由于在V02相变过程中会伴随有材料的电阻、磁化率以及光的透过率等的可逆突变,且在经过掺杂后其相变温度可降至室温附近,因此应用十分广泛。一方面可利用V02与其他半导体材料制备异质结以用于制作光电探测器和光电池等光电器件；另一方面,在基片上直接制备的V02薄膜可应用于智能玻璃和激光防护装置等的研制。目前实现VO2薄膜大规模应用的关键在于如何降低其相变温度至室温且不对其光电性质的突变幅值造成太大影响,而掺杂就是其中一