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由于射频MEMS器件能够满足通讯领域中系统小型化、高可靠及低成本的需求,并且具有加强系统稳定性和减少功耗方面的优势,因此射频MEMS器件在收发端网络的应用中极有竞争力,有望为无线电接收机的前端提供高性能开关和滤波器,为发射机功放输出端制备出高质量的片上匹配网络。目前在射频领域中运用的MEMS器件主要有微机械开关、微机械电感、可变电容、微机械谐振器、振荡器及滤波器等。射频MEMS开关是重要的射频MEMS器件,一些RF MEMS开关已经应用于部分微波系统的前端电路、数字电容器组和移相网络。但是RF MEMS开关要得到广泛的应用,还有很多的问题需要解决,还需要深入研究其各方面的性能。研究射频MEMS开关在开关过程中对信号的电磁干扰可提高射频MEMS开关的可靠性和稳定性,改进射频MEMS开关的设计,有利于构建可靠性和集成度更高的电路系统。本文从以下几个方面对射频MEMS开关的电磁干扰开展了研究。首先是在大量文献调研的基础上,总结了射频MEMS开关的研究现状与进展,列举了目前主要射频MEMS开关的结构,比较了各种结构的优缺点,选择了典型的射频MEMS开关:电容式并联RF MEMS并联开关作为研究的主要对象,并讨论了电容式并联RF MEMS开关的结构及各项性能参数。相对于其它MEMS开关,电容式MEMS并联开关适用于较高的频率(5—100GHz)。其次对电容式射频MEMS并联开关的电磁场进行了详尽的讨论和推导,对射频开关电磁干扰的特性和产生过程进行了说明。阐述了对射频MEMS开关产生的电磁干扰进行分析的必要性以及射频MEMS开关对波导中正常传播的高频信号进行干扰的原因和方式。接着深入研究了开关在开启过程中的动态特性及开关的开启时间,讨论了开关的各种尺寸对开关动态特性的影响并进行了模拟分析。因为开关的动态特性跟开关在开启过程中变化的电磁场紧密相关,开关对信号的干扰是由开关在开启过程中变化的电磁场产生的。然后对射频MEMS开关在不同工作状态下的电磁模型进行了分析,通过对开关电容在充电过程、膜桥运动过程、开关电容放电过程三部分的研究认为射频MEMS开关产生的电磁干扰主要集中在开关电容的放电过程。影响干扰强度的主要因素是开关电容放电时间的长短、开关等效电阻及等效电感的大小。接着对各主要影响因素进行了分析,在此基础上研究了开关的各结构尺寸对开关开启产生的电磁干扰强度的影响,对高性能射频MEMS开关设计提供了理论依据。