随着半导体工艺技术节点的不断缩小,集成电路和片上系统的规模越来越大。与此同时,可制造性设计(Design For Manufacturing, DFM)在深亚纳米技术节点设计中也得到越来越广泛的应用。获得到芯片表面的平坦度,属于DFM的范畴。为了提高芯片表面的平整度,在芯片设计中一般要求版图表面密度均匀统一,目前工业界最常用的方法是冗余金属填充。冗余金属填充不仅会使得芯片设计的电学参数恶化,而且会影响芯片的关键面积变化。与此同时,光刻也会对芯片的关键面积造成不可忽视的影响。在信号线的周围填充冗余金属时,经过光刻后,会导致信号线的金属线条发生更加严重的光刻畸变,某一缺陷粒子落在发生畸变的信号线上时,会导致电路功能性缺陷,增加关键面积。因此冗余金属填充后光刻对关键面积的影响更加严重,随着工艺节点的缩小,这种影响会更加严峻。因此,从不同缺陷粒子的角度,在光刻下考虑冗余金属填充对关键面积的影响是很有必要的。本文在45nnm工艺节点下,以OR1200版图M3,M4为基础,考虑冗余金属与信号线之间的间距,分析冗余金属填充对电路开路关键面积变化。同时在考虑光刻条件下,研究冗余金属填充前后关键面积大小的变化,比较分析其对关键面积的影响。从实际实验出发,得出对于不同大小缺陷粒子,冗余金属填充在考虑光刻的条件下对开路关键面积影响的大小关系,解释了增加冗余金属与信号线之间的间距可以减少关键面积的原因。同时得出在冗余金属填充下考虑光刻对关键面积影响的必要性。研究结果表明,光刻畸变使得冗余金属填充后开路关键面积增加,对应粒径为0.066umm的缺陷粒子,导致的开路关键面积增加最大可达近10%,随着粒径的增加,缺陷粒子导致的总开路关键面积减少。因此,在研究金属填充对关键面积的影响时,必须考虑光刻。本文的研究,对减少由光刻畸变导致的冗余金属带来的关键面积增加具有一定的借鉴意义。