ZnO是Ⅱ-Ⅵ族直接宽禁带半导体材料，室温下禁带宽度为3.37eV，在光电器件等领域有着巨大的应用前景。要实现氧化锌在光电等领域的实际应用，仍有许多问题亟待解决，例如 p型 ZnO的掺杂，同质 p-n结的制备。同时，其掺杂机理及相应的发光机制也是目前重要的探讨内容。运用溶胶凝胶法制备 Li-N或Na-N共掺杂 ZnO薄膜则少有报道，本文采用溶胶凝胶法制备出了 ZnO掺杂纳米薄膜，研究了不同掺杂元素以及浓度的变化对薄膜结构、光学等性能的影响。　　采用溶胶-凝胶法在石英衬底上沉积 Li-N共掺 ZnO纳米薄膜，研究了热处理温度和Li掺杂浓度对 ZnO纳米薄膜结构和光学性能的影响。结果表明，适度的 Li掺杂，以及热处理温度的适度升高，会导致 ZnO（002）峰的半峰宽减小，薄膜结晶质量明显改善，但过高浓度的掺杂或过高的热处理温度，则会诱发新的缺陷，导致结晶质量下降。另外 Li掺杂引起 ZnO薄膜的光学带隙发生变化，使得未掺杂样品紫光发光最强转变为掺杂后样品的紫外发光最强。　　采用溶胶-凝胶法制备 Na、N共掺杂 ZnO薄膜，考察了不同 Na掺杂浓度对薄膜结构和光致发光特性的影响。结果表明，Na、N共掺杂 ZnO纳米薄膜呈现出良好的 c轴择优生长取向，一定量 Na的引入对晶体结构有影响，随着 Na掺杂浓度的增加，（002）晶面间距增加，相应地该峰的峰位发生向小角度微量移动。不同量的掺杂对其薄膜结晶质量也有影响，随着 Na掺杂浓度的升高，相应的试样（002）峰的半高宽（FWHM）的数值呈现出先减小后增大的趋势。另外，在Na掺杂浓度较低情况下，试样表现出较强的紫光发射；随着 Na含量的增加至6:100时，390nm处的紫外发光开始占优势；高浓度掺杂，薄膜结晶质量下降，其紫外发射受到影响，紫外峰和紫光峰的高度差减小，甚至出现了紫光光强超出紫外光强的趋势。