CuInSe<,2>(简称CIS)是一种直接带隙材料，光吸收系数高达10<'5>数量级，禁带宽度约为1.04eV，这样的禁带宽度与太阳光匹配，光电转换效率高，成为最具有前途的太阳能电池材料之一，CIS薄膜太阳能电池成为当今光电领域的研究热点。本文用磁控溅射法在医用载波片上成功制备了Mo薄膜，并研究功率和溅射时间对Mo薄膜的影响，用XRD、SEM对Mo薄膜的结构和表面形貌进行分析。用三源共蒸镀法以铜、铟和硒三种元素的高纯度粉末为原料，在镀Mo的玻璃衬底上制备得到CIS薄膜。用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)以及扫描电镜自带的能谱仪(EDS)、紫外-可见光分光计及霍尔效应仪，对不同工艺条件下(如衬底温度，Cu/In，真空热处理)制备的CIS薄膜的结构、表面及断面形貌和光、电性能进行研究，结果表明： 1.用磁控溅射法可以制备出表面光滑、晶粒大小均匀、表面平整的Mo薄膜，膜厚在600～800nm；制备的Mo金属薄膜具有体心立方结构，在(110)面有择优取向，适合作为CIS薄膜电池的导电层。 2.用三源共蒸发法可以制备出黄铜矿结构的CIS薄膜，所制备薄膜在(112)、(220)、(116)晶面有择优取向(20分别为26.6°、44.2°、52.4°)，膜厚为800～1200nm。CIS薄膜在衬底温度300℃；经氩气保护300℃真空退火一小时后，控制Cu/In在1.1的工艺，晶粒大小均匀，结晶性能良好，断面整齐，结合力较好；薄膜杂质相减少，在(112)、(220)、(116)晶面取向增强。 3.不同的工艺对CIS薄膜在可见光范围内的吸光度影响较小，用CIS薄膜的吸光度和透光率曲线可以估算CIS薄膜的禁带宽度，在1.05eV-1.18eV之间；在可见光波长范围内的吸光度约为1.3，光吸收系数高达2.8×10<'4>cm<'-1>。 4.在衬底温度300℃；经氩气保护，温度300℃保温一小时；控制CIS薄膜Cu/In在1.1，CIS薄膜电阻率为5～20×10<'-3>Ω·cm，霍尔迁移率为200～400cm<'2>/s·v，空穴浓度在2～8×10<'18>cm<'-3>之间。