半导体氧化物在太阳能电池、发光二极管、光探测器、透明导电薄膜、光催化等方面都具有重要的应用。为了获得高性能的半导体氧化物光电器件,高质量p型导电层是必须具备的,而高性能的p型半导体一直较难制备,存在掺杂固溶度较低,稳定性较差,本征p型材料载流子传输能力不高等缺点。因此,本论文针对这个问题,以p型半导体氧化物微晶制备为突破口,进而制作光电器件验证其电学和光学特性。在本论文工作中制备出性能优异Sb掺杂p型ZnO微米线,以及生长高质量的本征p型的CuGaO₂六角纳米片,并以此为基础构造同质/异质p-n结光电器件。本论文取得的创新性结果如下:1.采用双温区同步掺杂生长的办法,制备出Sb掺杂p型ZnO微米线;掺杂后的ZnO微米线在低温发光光谱中观测到受主发光峰;通过对单根微米线进行电学测试（I-V及场效应FET测试）,发现其导电类型呈现p型。2.用掺杂后的p型ZnO微米线和未掺杂的n型ZnO微米线构造交叉结构的同质p-n结,器件具有良好的整流特性和紫外探测性质,器件对紫外光具有较高的响应度及高选择特性,探测器响应波长范围在380⁴00 nm,-5V电压下的响应度可达到200 m A W-1,响应半峰宽仅为6 nm,外量子效率为64.5%。3.采用高温高压水热法,生长出六角形的CuGaO₂纳米片,直径约为10μm;低温发光光谱中出现了自由激子和束缚激子发光峰;其室温发光中心位于450nm,对应于CuGaO₂中的Cu空位缺陷的发光,而Cu空位是导致CuGaO₂呈p型导电的缺陷;通过构造Au/p-CuGaO₂/n-Zn O/ITO异质结,发现器件具有良好的整流特性,证明了CuGaO₂纳米片的p型导电性。4.通过溶液烧结法制备CuGaO₂纳米片与ZnO纳米颗粒复合材料,室温下复合材料在长波一侧出现了新的发光峰并且占主导,低温下新的发光峰发生劈裂这是由于复合材料内部p-n结的存在,使能带弯曲所致;通过光催化测试发现,复合材料相比单一两种材料的光催化性能有较大提高,并且观测到可见光的光催化能力,这是由于复合材料p-n结的存在增强了对可见光的吸收。