过去的十几年来,石墨烯因优异的机械、光学、电学特性受到了极大的关注,且在光电子与微电子等领域的应用潜力巨大。近年来,过渡金属硫族化合物二维原子晶体材料展现了许多石墨烯所不具有的物理特性,广泛研究表明其在晶体管、光探测器、光伏电池等方面具有极大的应用前景。本论文面向过渡金属硫族化合物二维原子晶体材料的可控制备与范德瓦尔斯异质结,重点研究了二硫化钼二维原子晶体材料的气相生长与复合,以及基于单层二硫化钼原子晶体的二维范德瓦尔斯异质结的特性与应用。在以下几个方面取得了重要的阶段性进展:(1)类石墨烯二硫化钼生长与机理方面:通过气固输运方法和化学气相沉积(CVD)方法成功制备出单层二硫化钼;发现了二硫化钼二维层状材料生长过程中局域范德华作用力自发诱导的非对称应变。研究发现气固输运法生长温度较高且窗口较窄,反应过程对氧气较为敏感,二硫化钼二维原子晶体尺寸100μm以下;CVD方法对衬底依赖性小,可生长出尺寸大于100μm的单晶样品。此外,两种方法所制备的二维层状材料都具有均匀的厚度、元素分布,较高的晶体质量,优异的光致荧光。观察到二硫化钼二维层状材料中局域化范德瓦尔堆叠结构,通过拉曼光谱以及第一性原理模拟结果证明了局域化范德瓦尔堆叠的方式会在样品中产生轴向应力,并且估算出这个应力大约在0.5%左右,PL峰位的移动证明了这种局域化范德瓦尔相互作用会对此材料的光学带隙有明显的调控作用。这表明在这种超薄二硫化钼材料中即使没有外加应力而通过有限的晶体边界以及层间相互作用会对层间结构有显著的影响。基于二维层状材料模块化层层堆积的可控制性,这种局域化的范德瓦尔斯堆叠同样提供了一种调控材料本征物理性能的方法,而避免了外加应力的繁琐和不便。(2)类石墨烯二硫化钼材料的复合:通过CVD方法制备单层MoS2(1-x)Se2x,Mo(1-x)WxS2复合材料,并用液相方法把一维纳米结构生长在二维单层结构上,实现了对二硫化钼材料的结构与特性的调控。本论文讨论了两种基于二硫化钼的复合材料,第一种是采用CVD方法通过渡金属硫化物相互掺杂的方式制备的合金化的单层MoS2(1-x)Se2x,Mo(1-x)WxS2材料,通过控制掺杂原料的比例可以精细的调控掺杂浓度,同时证明了用Raman光谱的手段可以准确地判断出掺杂元素的种类以及估算出掺杂浓度。经过PL测试分析,我们证明了通过这种方式可以将掺Se、W的合金化单层材料的带隙从1.55 eV(MoSe2)到1.97 eV(WS2)精细调控,从而满足不同功能的需求。由于PL峰位对掺杂浓度非常敏感,因此可以通过测量合金化后PL峰位的偏移幅度反向推算掺杂浓度。第二种是采用CVD和水热法结合的方式制备出二硫化钼/氧化锌纳米棒复合结构,证明了单层二硫化钼不仅可以较好的作为氧化锌纳米棒生长的种子层,不会导致相互的晶格畸变,而且可以保证氧化锌纳米棒垂直生长的趋向性,而氧化锌在这种复合结构中起到“天线”的光聚焦效果,使得底部二硫化钼的光学信号被增强。这种复合结构中两种材料性能互相融合,相得益彰,是二维纳米材料和一维材料相互复合提升性能的典型例子。(3)基于单层二硫化钼超薄范德瓦尔斯异质结研究方面:设计并验证了MoTe2/MoS2二维单层II类异质结中的层间红外跃迁,并获得了二维异质结红外探测原型器件。利用自搭建的转移平台首次制备了单层MoTe2/MoS2异质结样品,理论计算和KPFM结果表明其能带组合方式为II类构型,与一些文献的预判符合一致,我们用Raman光谱、PL光谱观测到了MoTe2/MoS2之间强烈的层间耦合相互作用。利用KPFM测试手段首次在单层MoTe2/MoS2异质结中观测到光生载流子的产生和分离,证实了我们制备的这种超薄范德瓦尔斯异质能够实现电学功能。利用单层MoTe2/MoS2异质结制备了光响应测试的原型器件,测试结果表明MoTe2/MoS2异质结突破了纯单层MoTe2和MoS2的光响应截止波段,利用II类带间激发对1550 nm波段同样能够实现光响应。这预示了II类原子层的范德瓦尔斯异质结同样可以实现层间激发,在光探测方面有进一步研究的价值。