磁控溅射制备3d过渡金属掺杂氮化铜薄膜及其应用研究

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本文研究了 3d过渡金属掺杂对氮化铜薄膜的结构和光学特性的影响,并重点关注了 Mn掺杂带来的特殊变化。然后利用钒、铬和锰掺杂来改良氮化铜薄膜磁学性能,得到了 Cr掺杂对氮化铜薄膜的磁性贡献最大。最后基于锰掺杂氮化铜带来的特殊光电特性,我们将其应用于可见光探测,得到了一种基于氮化铜的新型可见光探测器。最后基于氮化铜薄膜在一次性光存储领域的应用,采用致密的氧化物层来改善一次性光存储的容量。本文的工作主要有以下四个方面的内容:一、采用磁控溅射方法制备了 3d过渡金属(Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co
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