半导体氧化铟、氧化锌纳米结构的合成及性能研究

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在本文中,我们对In2O3和ZnO纳米材料的形貌结构的控制合成及其在场发射等方面的性能进行了探索。采用化学气相沉积的方法合成了多种的In2O3纳米结构。并以自支撑的碳纳米管膜为衬底用化学气相沉积的方法制备了氧化锌纳米结构。用X射线衍射、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、拉曼光谱、荧光光谱等手段对这些纳米材料的形貌和结构进行了表征。在此基础上,进一步研究分析了In2O3和ZnO纳米材料的场发射性能以及光学性能。主要内容及创新点如下:1.通过控制反应条件,如是否加入金催化剂、反应时间、衬底类型
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