半绝缘GaAs光电导开关(Photoconducfive Semiconductor Switches简称PCSS’s)具有宽频带和高功率容量特性，使其在超高速电子学和大功率脉冲产生与整形技术等领域，特别是在高压超快功率脉冲系统中PCSS’s的非线性工作模式具有广泛应用前景。然而，还没有一个令人满意的理论，对光电导开关的非线性工作模式进行全面的解释。此外，PCSS’s非线性工作的稳定性亟待解决，在现代的阵列应用中如何保持其稳定性，外置电场的分布，激发光能量和波长的选取，也是迫切需要解决的实际问题。本文深入分析了GaAs光电导开关非线性工作模式下的工作特性，PCSS’s非线性工作模式是一种由光触发引起的非线性效应，首先必须有一个大的偏置电场，其次在迟豫时间内的电场不均匀分布和电荷畴的形成；在单电荷畴形成的某一时刻，其畴内电场已接近或达到雪崩击穿的强度，于是发生强烈的碰撞电离，使载流子雪崩倍增；延迟时间的长短主要由满足形成畴所需条件的时间决定。针对半绝缘体GaAs光电导开关的非线性工作模式进行了系统的实验，对光电导开关非线性工作模式的稳定性进行了初步分析。分别用波长1064nm，脉宽5ns，脉冲能量可调的YAG激光和波长为532nm，脉宽为5ns的激光脉冲触发开关；开关间隙为4mm，分别采用了不同的偏置电压，不同的光激发能量，进行了多次激发试验。结果表明，在1064nm激发光条件下，光导开关非线性工作模式延迟效应很明显，在532nm激发光条件下，延迟时间很短。在实验上定量的给出使光导开关处于稳定的非线性工作模式的条件。