存储元件是电子设备中数据的处理、存储以及交流的基本组成部分,现代信息技术的快速发展带来人们对智能、柔性、可打印以及一次性电子设备大量需求。与传统的无机半导体器件相比,基于有机半导体材料的器件具有成本低、可实现大面积加工、可与柔性基底集成等优点。尤其是基于晶体管的有机非易失性存储器,具有非破坏性读取、易于集成以及能够在单个晶体上实现多阶存储而备受关注。近年来,为了制备高密度、高速度并且非易失性的高性能OFET存储设备,提出了基于分子浮栅的OFET存储结构。尺寸在1 nm内的小分子材料代表了一种理想的浮栅层电荷存储基元,它们不仅具有较小的载体态密度还具有较高的电荷结合能,非常有利于增大浮栅层的电荷捕获密度和捕获电荷,实现高密度存储。小分子材料具有性能稳定、分子和电子结构定义明确、且能根据需求进行电子结构和能带的设计等优势,但相比于聚合物,应用于存储研究的小分子材料还很少,目前应用较多的仅C60、Alq3等,且存在存储密度低和电荷泄露的问题。本论文蒸镀筛选了一些具有岛状生长模式的小分子材料2`.7`-DCNSFX和SFDBAO作为OFET存储器的浮栅层材料,分别探究了它们的电荷捕获能力,并对相应分子浮栅的OFET器件进行性能优化,最终制备出基于共混旋涂SFDBAO/PS分子浮栅的高性能非易失性OFET存储器件。成功实现了电子和空穴的双向存储,并且器件迁移率也得到迅速提升。迁移率达0.8 cm 2 V-1 S-1、存储窗口可达146V(正向78V,负向68V)、维持时间超过5×104 S、开关比达到2×105且具有较稳定的读写擦耐受性。有力地推进了小分子材料应用于存储的研究进展。