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近年来,越来越多的科研工作投入到制备纳米材料上,一维ZnO纳米结构由于其可控的制备方法和各种特殊的性质以及在场效应晶体管、发光二极管、传感器、太阳能电池上的应用而受到了越来越多的关注。各种结构的ZnO纳米材料例如纳米线、纳米带、纳米墙和纳米棒已被制备出。为了提高ZnO的电学和光学性质,掺杂各种元素的ZnO纳米结构已被广泛应用。MgO的禁带宽度约为7.7meV,因此Mg掺杂的ZnO可以在一定范围内调节其带宽,Mg2+的半径(0.057nm)与Zn2+的半径(0.06nm)十分相近,所以Mg原子替代Zn