石墨烯T-stub P-N结中的电子输运性质

来源 :内蒙古大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:awind54335
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近几十年来纳米技术的飞速发展使得凝聚态物理成为一个热点研究领域,石墨烯是这个领域中有非常巨大应用前景的研究对象之一。本论文详细研究了石墨烯单个stub纳米带P-N结中的电子输运性质。与石墨烯条带相比,stub结构使电子在输运过程中出现量子干涉效应,进而对石墨烯电导有显著影响。同时,外加垂直磁场能够改变不同自旋方向电子量子相干效应,也能进一步对电导进行调控。锯齿形和扶手椅型stub结构因其边缘形状不同而表现出不同的输运特性。  我们将Landauer-Buttiker方程与格点格林函数方法相结合,研究了锯齿型和扶手椅型石墨烯单个stub纳米带P-N结中存在无序和有序样品中的电子传输性质,我们发现:通过调节外加磁场、stub壁的高度和门电压,可以得到量子电导平台。另外,在N-N区,随着外加磁场和门电压的增大,电导增加;P-N区,电导会随着外加磁场的增大而减小,并且出现电导峰。磁场对电导有抑制作用,在磁场作用下电导平台减少甚至消失。当无序强度接近零时,电导在P-N区出现峰值,其原因为外加磁场作用下,电子产生的量子干涉效应。
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