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本论文通过地面模拟空间环境实验,研究了质子、电子、质子加电子综合辐照对航天器上带盖片的GaAs/Ge太阳电池的辐照损伤效应,并通过暗特性分析,光照下伏安特性分析,揭示了辐照后太阳电池电性能参数的变化规律;利用光谱响应、光学反射率等测试手段研究了带盖片的GaAs/Ge太阳电池辐照前后微观结构和性能的变化,分析了不同辐照类型与不同粒子注量对GaAs/Ge太阳电池的损伤规律与导致性能退化的原因。SRIM和CASINO对GaAs/Ge太阳电池模拟结果表明:170keV的电子在电池中的入射深度达到