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目前，超导氮化铌（NbN）薄膜是制备高性能单光子超导器件（SSPD）和超导热电子测辐射热仪（HEB）的首选超导材料，受到广泛的研究和关注。NbN具有较高的超导临界转变温度（Tc>16K）和临界电流密度。通常，采用磁控溅射的技术在和NbN晶格常数相近的单晶基片（如MgO）上生长出高质量的NbN薄膜。但是，MgO基片在THz频段损耗较大，同时微纳加工较困难。硅基NbN薄膜器件相比MgO基器件其主要优势在于：①工作在THz频段损耗极低；②微纳加工工艺技术成熟；③容易实现超导探测器件与半导体器件的集成；④成